现在，有博主爆料称，外界盛传的国产N+3（外界盛传达到125mtr）工艺消息大概率是靠谱的，因为专利显示的H210G56指标，计算下来就是125mtr的布线密度。
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据悉，中芯国际的N+3工艺具有显著的晶体管密度，达到了125MTr/mm（即每平方毫米125亿个晶体管）。这一密度介于台积电的N6（113MTr/mm）与三星早期的5nm（127MTr/mm）工艺之间，相当于台积电的5.5nm工艺水平。
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若以14nm工艺为基点（密度约35MTr/mm），N+3的密度提升幅度超过了250%，这标志着中芯国际在FinFET架构上的持续优化能力。
尽管N+3的命名容易让人联想到“等效5nm”，但其实际性能功耗表现对标的是台积电的N7P（7nm增强版）和N6工艺。这意味着在相同晶体管数量下，中芯国际N+3的能效可能比台积电的N5/N4工艺落后约15%~20%，这主要受限于EUV光刻机的短缺导致的工艺复杂度不足。然而，对于长期依赖成熟制程的国产芯片而言，这一进步已经足够打破多项技术瓶颈。
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之前有行业人士表示，华为海思麒麟芯片若采用N+3工艺，其性能有望接近骁龙888水平，足以支撑中高端手机市场的需求。有业内人士猜测，麒麟9300可能会搭载这一工艺。
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